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  • 制 造 商:Microsemi(美高森美)
  • 出厂封装:SP4
  • 功能类别:场效应管模块
  • 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
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    Microsemi美高森美完整型号:APTM100H45SCTG

    制造厂家名称:Microsemi Power Products Group

    描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

    系列:POWER MOS 7

    FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)

    FET 功能:标准

    漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):540 毫欧 @ 9A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):154nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4350pF @ 25V

    功率 - 最大值:357W

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:SP4

    供应商器件封装:SP4



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